IGBT 是绝缘栅双极晶体管的首字母缩写。它被归类为晶体管领域的功率半导体器件。IGBT能够为广泛的高电压和高电流应用实现更高的效率和节能。

一、功率半导体器件特性与IGBT的比较：

在功率半导体器件（晶体管领域）中，除IGBT外，还有主要用作半导体开关的MOSFET和双极型。在开关速度方面，双极性类型适用于中速，而MOSFET支持高频范围。IGBT是一种双极器件，利用了电子和空穴两种类型的载流子，这是由于输入块和双极性输出具有MOSFET结构的复杂配置，使其成为可以实现低饱和电压（类似于低导通电阻MOSFET）的晶体管，具有相对快速的开关特性。然而，尽管它具有相对快速的开关特性，但它们仍然不如功率MOSFET，使其成为IGBT的缺点。

二、IGBT应用范围：

1．功率半导体适用范围：

功率半导体包括组合由元件单元及其基本部件组成的分立元件的模块。

这同样适用于IGBT（绝缘栅双极晶体管），它由器件和模块组成，每个器件和模块都有最佳范围。

下图显示了功率半导体（主要是IGBT）在开关（工作）频率和输出容量方面的应用范围。

2．IGBT应用范围：

IGBT是一种功率半导体，用于从汽车和工业设备到消费类设备的各种应用。HEV/EV中的高输出三相电机控制逆变器、IH等家用电器的谐振电路以及UPS和工业电源中的升压控制也越来越多地采用。